哈爾濱工業大學場發射掃描電子顯微鏡項目招標公告 1.招標條件 本項目已通過主管部門審批，招標人為哈爾濱工業大學，項目已具備招標條件，現對該項目進行公開招標。 2.項目概況 2.1項目名稱：場發射掃描電子顯微鏡 2.2項目編號：HITZB-1011 2.3采購數量：1 2.4采購需求及主要技術指標（以用戶提供的序號排列）： 第一部分：采購內容： 場發射掃描電子顯微鏡及整體配套產品，1臺（套）。 總體要求 ：場發射掃描電子顯微鏡。整機原裝進口，鏡體結構緊湊，結實耐用，自動化程度高，操作、維修方便，性價比合理。投標方需在投標文件中注明其投標產品型號，并保證為最新頂級產品。為保證買方權益，投標方和其技術人員應有相應的資質證明。 所投產品必須為成熟穩定產品。（注：投標人為經銷商的須具有有效經銷授權。 國內同類產品銷量不低于30臺。） 第二部分：技術要求： 功能：可做磁性樣品 必須滿足本實驗室以下樣品觀察分析：生物材料、金屬、無機氧化物、高分子聚合物、磁性材料、天然礦物材料等。 一、主要參數： 1、工作條件 1.1、電源電壓：220V±10V, 單相 50Hz 1.2工作溫度：18°C-25°C 1.3、接地：獨立的接地線（接地電阻不高于1歐） 1.4、儀器運行的持久性：長時間連續工作 1.5、磁場：≤ 3 mGauss 1.6、濕度：≤ 60% RH 2、性能 2.1、★分辨本領 二次電子像分辨率：0.8nm @15 kV 1.6 nm @1kV 2.2、★加速電壓 調整范圍：0.02-30 kV（無需減速模式實現） 調整步長：每檔10 V連續可調 2.3、★探針電流：12pA-20nA 穩定性: 優于 0.2%/h 2.4、放大倍數： 范圍: 10-1,000,000× 放大倍數調整：粗、細調模式連續可調 預設定：可從用戶菜單中選擇設定值 自動補償：隨著工作距離或加速電壓的變化，自動精確校正放大倍數。 校準：對于圖像輸出裝置的改變，自動精確校正放大倍數。 3、電子光學系統 3.1、★電子發射源： Schottky型場發射（熱場發射）電子源 3.2、透鏡系統： 電磁/靜電式透鏡會聚系統 3.3、聚焦： 工作距離：范圍可由1mm至50mm。 控制：具有靈敏度與放大倍數相關的粗調和細調。 自動聚焦控制：粗調、細調。 聚焦補償：在整個加速電壓變化范圍內，自動補償。 動態聚焦：對傾斜樣品進行聚焦矯正。 旋轉補償：自動矯正由于工作距離的變化引起的圖像旋轉。 傾斜補償：自動矯正由于樣品傾斜引起的放大倍數變化。 3.4、消像散器：八極電磁式系統 3.5、★光欄 數量：七孔光闌.通過自動補償套件可達到精準合軸 調整：電磁選擇和軟件調整 光闌尺寸：7 μm, 10 μm, 15 μm, 20 μm, 30 μm, 60 μm, 120 μm 3.6、掃描 掃描速率：17檔掃描速度可選 掃描方式：全幀、選區、定點、線掃描、掃描旋轉、傾斜補償 3.7、電子束位移 平移寬度：±14.5μm 4、樣品室 4.1、★樣品室尺寸：358 mm（φ），270.5 mm（h） 4.2、★最大樣品尺寸：不小于 200mm（直徑） 4.3、樣品置換時間（抽真空時間）：不大于 5分鐘 4.4、附件接口：在樣品室上提供15個附件接口，可同時接三臺EDS探測器。 4.5、樣品臺 ★類型：5軸全自動馬達驅動 裝配方式：抽屜式拉門。 控制：雙操縱桿控制盒 ★移動范圍:X130 mm,Y=130 mm,Z=50 mm,T=-4o-70o,可選,R=360o 連續 4.6、★必須配有帶有全部操作按鈕的多功能鍵盤。 5、探測器 5.1、探測器類型 鏡筒內（In-lens）環形二次電子探測器 鏡筒內In-lens Duo探測器(可選) 樣品室二次電子探測器 背散射電子探測器 CCD 攝像機 5.2、控制 自動對比度/亮度 手動對比度/亮度 6、信號選擇 二次電子信號、背散射電子信號等，任何二個通道信號都可進行混合，以獲取更佳的圖像效果。 7、圖像顯示 7.1、存儲分辨率:不小于32k x 24k像素（最大） 7.2、顯示分辨率:1024×768像素 7.3、降噪處理：像素平均、連續平均、幀和行疊加 7.4、具有數據區、狀態顯示、圖像注釋和測量功能 7.5、可在Windows支持的外部設備上存儲及打印圖像 8、顯示器：24” 液晶顯示器 9、計算機環境（最低配置） 9.1、中央處理器：因特爾酷睿2四核處理器。內存：4G 9.2、操作系統：基于 Windows 7的SmartSEM操作系統，可選鼠標、鍵盤、控制面板控制 9.3、外界接口：串行、并行、SCSI、USB 2.0接口、網絡 9.4、磁盤驅動器：硬盤：1000 GB；光驅：DVD+/- R/RW 9.5、電鏡控制操作軟件。 10、真空系統：無油機械泵＋分子泵＋離子泵 全自動控制 樣品室極限真空度：優于2.0×10-4Pa 11、開機自動，不需要工程師親自到現場。 二、附件 （一）、X射線能譜探測器： 1、探測器制冷方式：電制冷型。 2、探測器：硅漂移探頭。 3、有效探測面積：不低于50mm2。 4 、100,000cps時的能量辨率：Mn Ka：≤127eV 　　　　　　　　　　　　　 F Ka：≤65eV 　　　　　　　　　　　　 　C Ka：≤56eV 　　　　　　　　　　　　　 其 它：≤133eV （二）、冷凍傳輸 1、功能：專為高分辨率場發射掃描電鏡和聚焦離子束掃描電鏡（FIB）設計。整個系統維持低溫真空，防冰晶、防污染，精確控溫，能對樣品進行快速冷凍、冷凍斷裂、升華、噴鍍功能，在真空及低溫條件下實現含水樣品冷凍制備、樣品傳輸、電鏡低溫觀察。 2 技術指標： 1） 樣品預處理裝置 v 液氮泥快速冷凍（-210℃）； v 多功能液氮泥工作站，有裝載樣品座的鉸鏈式裝置，可將冷凍預處理后的樣品很方便的對接至真空傳輸裝置上。 2） 冷源 * 冷凍前處理室采用一體式液氮冷阱制冷，掃描電鏡冷臺采用低溫氮氣氣冷，外置式液氮杜瓦只需6 L液氮，可連續提供掃描電鏡冷臺3 h連續工作時間； 3） 冷凍前處理室，包括： v *多角度樣品觀察窗, ×10倍和 ×20倍雙目顯微觀察鏡 v 前級機械泵，渦輪分子泵（70 L/S），工作時前處理室真空度優于10-6 mbar量級； v 氣鎖閥門控制真空傳遞裝置連接； v 球閥與掃描電鏡樣品室連接，具有電動開關和電動機械安全鎖； v 一體式液氮冷阱及防污染裝置，防污染裝置可設溫度為 -190℃； v 樣品制備腔體內部液氮冷凍臺（-180℃ ～ +100℃）及防污染裝置； v *樣品處理包括斷裂、升華、噴鍍功能。標配冷凍斷裂刀；可設定升華時間及溫度，自動升華；標配Pt靶材磁控噴鍍，可選其他靶材（Au/Pd, W , Ir 和 Cr），自動噴鍍，提供高純氬氣供給連接組件。 4）真空傳輸裝置 設計緊湊小巧，使用方便，密封效果好。 5）掃描電鏡冷臺和防污染裝置 v 低溫氮氣氣冷掃描電鏡冷臺（-185 ~ + 50℃）； v *根據掃描電鏡類型定制防污染裝置，可設溫度為 -190℃ v 掃描電鏡樣品室內配置LED照明燈。 6）高集成按鍵式控制板，體積小，可方便的放置在觸手可及的位置。 （三）、等離子清洗 與電鏡配套設備，為電鏡附件，一體化協調性能佳。 （四）、離子濺射儀 進口自動鉑金靶，英國108離子濺射儀。 三、耗材 與電鏡配套備用燈絲1套，（包括燈絲、光闌及人工費） UPS電源 6kW （工作8小時、具備停電短信通知功能）1臺 四、商務要求： （一）、供貨期及交貨地點 1、供 貨 期：簽訂合同后6個月； 2、交貨地點：哈爾濱工業大學二校區城市水資源與水環境國家重點實驗室。 （二）、售后服務及培訓要求 1、質保期1年，從驗收之日起1年內發生故障，應及時免費維修及更換部件,（不可抗拒因素及使用不當造成的故障除外）。兩年內免費搬運一次。超過兩年以上收費請注明。所附軟件應終身免費升級。超過保修期限之外賣方也應提供優惠合理的售后服務。 2、賣方自行報出培訓計劃； 至少包含上門培訓，終身免費；到賣方樣機室系統培訓，操作培訓、專家交流。免費。 3、投標人須提供業績證明材料。 4、投標人為經銷商的須具有有效經銷授權。具備安裝調試培訓能力投標商優先。 重點要求：售后服務需要協調，賣方責無旁貸。 質保期：1年 供貨時間：6個月 3.投標人資格要求 3.1投標人需具備中華人民共和國境內的獨立法人資格，本次招標不接受聯合體投標，不允許將項目分包或轉包。 3.2投標人需具備《中華人民共和國政府采購法》第二十二條的條件，并未被列入政府采購黑名單。 3.3如果所投設備為進口產品，投標人需具備國外制造商在國內代理（銷售）商資格或國外制造商出具的原廠授權函。 4．資格審查方式 本項目采用資格后審方式,主要資格審查標準、內容等詳見招標文件。 5.投標報名 凡有意參加投標者，請于2015年10月27日至2015年11月2日(法定公休日、法定節假日除外)，每日上午8時30分至11時30分，下午13時30分至16時30分(北京時間)，將報名材料(本公告附件1、附件2)送達至哈爾濱市南崗區西大直街92號哈爾濱工業大學行政辦公樓110房間。 6.招標文件的獲取 如果報名符合開標條件，招標文件將以電子郵件的形式發送到您報名表中所留的郵箱，敬請自行查閱，哈工大招標與采購管理中心不再另行通知，請按招標文件要求交納投標保證金等相關費用，以獲取投標資格。 7.投標文件的遞交 7.1投標文件遞交截止時間及地點詳見招標文件。 7.2逾期送達的或者未送達指定地點的投標文件，招標人不予受理。 8.發布公告的媒介 本次招標公告同時在以下媒介上發布： 中國政府采購網（http://www.ccgp.gov.cn/） 中國招標投標網（http://www.cec.gov.cn/） 哈爾濱工業大學（http://www.hit.edu.cn/） 哈爾濱工業大學國資處(http://gzc.hit.edu.cn) 9.本項目招投標過程中如出現有弄虛作假、惡意投訴和無理纏訴行為的投標企業，將嚴格按相關法律和規定處理。 10.聯系方式 招標機構：哈爾濱工業大學招標與采購管理中心 地址：哈爾濱市南崗區西大直街92號哈爾濱工業大學行政辦公樓110房間 郵編：150001 招標聯系人：李占奎 李桂霞 電話： 0451-86417955 郵箱:zhankui@126.com 技術聯系人：陳忠林 電話： 0451-86287000 哈爾濱工業大學招標與采購管理中心 2015年10月26日