哈爾濱工業大學高真空球形平面型磁控濺射鍍膜系統 改造項目招標公告 1.招標條件 本項目已通過主管部門審批，招標人為哈爾濱工業大學，項目已具備招標條件，現對該項目進行公開招標。 2.項目概況 2.1項目名稱：高真空球形平面型磁控濺射鍍膜系統改造 2.2項目編號：HITZB-1005 2.3采購數量：1 2.4采購需求及主要技術指標（以用戶提供序號排列）： 設備特性： 該設備具有可在共形整流罩內外表面鍍制均勻致密的氧化物、金屬膜的沉積。樣品沉積狀態可容納Ф300mm的共形整流罩襯底，具有內外兩套磁控濺射靶，樣品托盤采用一定的運動方式進行旋轉鍍膜，確保在Ф300mm范圍內均勻沉積單晶層材料。 設備詳細技術參數如下： （一）基本結構與組成 本系統為單室立式結構的高真空磁控鍍膜設備，可用于鍍制各種硬質膜、金屬膜、氧化物膜層等。系統主要由鍍膜室、磁控濺射靶（二個靶、另外備一個）、射頻電源、直流電源、樣品加熱轉臺、泵抽系統、真空測量系統、氣路系統、電控系統等組成。 （二）主要技術性能指標 1. 真空室結構及尺寸 1.1 真空室：不小于Ф400×800（mm），不銹鋼結構。有多個側窗可觀察腔體內部情況，可內烘烤溫度不低于100℃。 2. 真空獲得及測量 2.1 采用分子泵+機械泵的組合方式，抽氣。 2.2 系統極限真空：系統經24小時烘烤后連續抽氣，優于10-5Pa。 2.3 系統漏率：停泵關機12小時后真空度不大于10Pa。 3. 靶的結構尺寸 在真空室的側面布置一個磁控靶,靶材尺寸2英寸,靶材對著工件外壁,并且可以在計算機控制下,調整靶材與工件之間的距離,靶內通水冷卻,射頻與直流兼容；在真空室底部有另外一個磁控靶,放置一個特殊結構的柱狀靶與平面靶結合的復合靶,靶材直徑大約50毫米管狀,引入到工件內表面,靶內水冷、可以在計算機控制下做水平移動,拆下復合靶可以換上一個1英寸的擺頭靶,該靶可以水平移動。各個靶的移動速度通過計算機控制,達到靶面中心到樣品壁的距離一致。 4. 工件樣品轉架 樣品轉架，在真空室下底上安裝一個樣品轉架。轉架上一次可以放置一個炮彈形的回轉體工件,工件缺失部分采用補償塊補償成一個整個回轉體,根據工件大小的不同,設計成3個承接托盤,可以放置3個不同尺寸的工件（具體托盤大小雙方協商確定），轉架可以自轉，步進電機帶動，最高轉速30轉/分，同時樣品轉架還可以靠步進電機自動升降，升降速度可調、最高升降速度20毫米/分。樣品轉架外面有加熱器，可以在鍍膜過程中對工件進行加熱，加熱器是電阻絲式,樣品加熱溫度：室溫～400℃,加熱器與側面磁控靶之間留有開口,便于側面磁控靶鍍膜。采用日本產溫度控制器對加熱器進行加熱控溫。控溫精度±1℃。加熱器可隨樣品架升降,但不轉動。 5. 電源 5.1、加熱控溫電源：一套 5.2、射頻電源：一套 500W 手動匹配 5.3、直流電源：一臺 500W； 5.4、偏壓電源（用戶提供） 一臺， 5.5、電機控制電源：4臺 5.6、總控制電源：一臺。 6、 氣路系統： 采用二路MFC質量流量計控制器進氣，每一路質量流量計前配有一Dg16手動截止閥,并備有混氣室。 7、水流報警系統： 系統配有水流報警系統，用來對分子泵、磁控靶、真空室進行冷卻，在水路上安裝有水流繼電器，一旦缺水或水流不足，將進行報警并切斷相應電源，以防止損壞設備。 要求加熱器的加熱溫度可以通過計算機程序設定,磁控靶與工件之間的距離、與工件自轉、工件升降均采用計算機對其進行控制,使磁控靶中心在工件表面掃描的停留時間和距離相等,從而保證工件表面鍍膜的均勻性。 9、附件 1）安裝臺架：整個設備安放在一個用型鋼焊接而成的臺架上，臺架及圍板均進行防銹及噴塑處理。 2）提升機：用來提升真空室上蓋法蘭。 3）氣路卡套、壓墊、管接頭、不銹鋼管等； 4）無氧銅密封墊圈（各種相關規格） 5）氟橡膠密封圈（各種相關規格）； 6）螺栓、螺母、螺釘、墊圈等標準件 7）各種相關規格的不銹鋼軸承。 供貨期：6個月 質保期：1年 3.投標人資格要求 3.1投標人需具備中華人民共和國境內的獨立法人資格，本次招標不接受聯合體投標，不允許將項目分包或轉包。 3.2投標人需具備《中華人民共和國政府采購法》第二十二條的條件，并未被列入政府采購黑名單。 4．資格審查方式 本項目采用資格后審方式,主要資格審查標準、內容等詳見招標文件。 5.投標報名 凡有意參加投標者，請于2015年10月14日至2015年10月20日(法定公休日、法定節假日除外)，每日上午8時30分至11時30分，下午13時30分至16時30分(北京時間)，將報名材料(本公告附件1、附件2)送達至哈爾濱市南崗區西大直街92號哈爾濱工業大學行政辦公樓110房間。 6.招標文件的獲取 如果報名符合開標條件，招標文件將以電子郵件的形式發送到您報名表中所留的郵箱，敬請自行查閱，哈工大招標與采購管理中心不再另行通知，請按招標文件要求交納投標保證金等相關費用，以獲取投標資格。 7.投標文件的遞交 7.1投標文件遞交截止時間及地點詳見招標文件。 7.2逾期送達的或者未送達指定地點的投標文件，招標人不予受理。 8.發布公告的媒介 本次招標公告同時在以下媒介上發布： 中國政府采購網（http://www.ccgp.gov.cn/） 中國招標投標網（http://www.cec.gov.cn/） 哈爾濱工業大學（http://www.hit.edu.cn/） 哈爾濱工業大學國資處(http://gzc.hit.edu.cn) 9.本項目招投標過程中如出現有弄虛作假、惡意投訴和無理纏訴行為的投標企業，將嚴格按相關法律和規定處理。 10.聯系方式 招標機構：哈爾濱工業大學招標與采購管理中心 地址：哈爾濱市南崗區西大直街92號哈爾濱工業大學行政辦公樓110房間 郵編：150001 招標聯系人：李占奎 李桂霞 電話： 0451-86417955 郵箱:zhankui@126.com 技術聯系人：楊磊 電話： 0451-86402954 哈爾濱工業大學招標與采購管理中心 2015年10月13日