哈爾濱工業(yè)大學(xué)晶體薄膜生長設(shè)備項目第二次招標(biāo)公告 1.招標(biāo)條件 本項目已通過主管部門審批，招標(biāo)人為哈爾濱工業(yè)大學(xué)，項目已具備招標(biāo)條件，現(xiàn)對該項目進行第二次公開招標(biāo)。 2.項目概況 2.1項目名稱：晶體薄膜生長設(shè)備 2.2項目編號：HITZB-988 2.3采購數(shù)量：1 2.4采購需求及主要技術(shù)指標(biāo)：（序號以用戶提供為序） 設(shè)備特性： 該設(shè)備可一次輸送4~6片六英寸單晶硅襯底；靶源數(shù)6個，可同時氧化釔、氧化鋯、氧化鎂、鈦酸鍶、氮化鈦和金屬銥等多個單晶過渡層材料的沉積；樣品沉積狀態(tài)可容納6英寸單晶硅或氧化鋁等襯底，采用步進電機驅(qū)動樣品臺以5~50轉(zhuǎn)/分速率均勻旋轉(zhuǎn)，確保在6英寸范圍內(nèi)均勻沉積單晶層材料，同時可上下調(diào)整，保證沉積速率的穩(wěn)定性。 設(shè)備詳細(xì)技術(shù)參數(shù)如下： 該設(shè)備需要利用分子束源爐及電子束的方式鍍制薄膜，由蒸發(fā)沉積室、電子束與蒸發(fā)室（兼進樣室）、束源爐、樣品磁力傳遞機構(gòu)、樣品加熱機構(gòu)、泵抽系統(tǒng)、真空測量系統(tǒng)、氣路系統(tǒng)、電控系統(tǒng)等組成。 1、電子束及電阻蒸發(fā)室 需要由蒸發(fā)真空室、E型電子槍、熱蒸發(fā)電極、考夫曼離子槍、旋轉(zhuǎn)基片加熱臺、工作氣路、抽氣系統(tǒng)、真空測量、安裝機臺及電控系統(tǒng)等部分。 指標(biāo)要求如下： 極限真空度：≤7×10-5 Pa (經(jīng)烘烤除氣后)； 系統(tǒng)真空檢漏漏率：≤5.0×10-7 Pa.l/S； 系統(tǒng)短時間暴露大氣后，再抽氣1小時內(nèi)需達到10-4Pa的真空度。 1.1 真空室組件，1套 真空室為U型箱體活開門結(jié)構(gòu)，尺寸不小于500mm ×500mm ×600mm，四壁水道冷卻，壁掛防污板，選用優(yōu)質(zhì)不銹鋼材料制造，氬弧焊接，表面進行特殊工藝拋光處理，接口采用金屬墊圈密封或氟橡膠圈密封。 1.2 旋轉(zhuǎn)基片加熱臺，1套 1.2.1基片尺寸：可放置基片尺寸不小于6英寸； 1.2.2基片加熱最高溫度不小于600°C、由熱電偶閉環(huán)反饋控制； 1.2.3基片可連續(xù)回轉(zhuǎn)，轉(zhuǎn)速可控，電機驅(qū)動磁耦合機構(gòu)控制； 1.2.4基片與蒸發(fā)源之間距離可調(diào)，不小于300mm。 1.2.5手動控制樣品擋板組件； 1.3 考夫曼離子清洗系統(tǒng) ，1套 1.3.1引出柵直徑：不小于30mm； 1.3.2離子束能量：連續(xù)可調(diào)，大于0.4KeV； 1.3.3離子流密度：不小于1mA/cm2； 1.3.4工作真空度：優(yōu)于2×10-2Pa； 1.4電阻蒸發(fā)源，1套 1.4.1、蒸發(fā)水冷電極至少3根，組成2個蒸發(fā)舟，蒸發(fā)控制電源1套，可相互切換，蒸發(fā)電源電壓5、10V，電流300A，最大輸出功率3KW； 1.4.2、蒸發(fā)源手動控制擋板； 1.5電子槍及電源，1套 1.5.1 270°E型電子槍及高壓電源，電子槍功率0~6 KW可調(diào)； 1.5.2電子槍陽極電壓：6kV和8kV可選； 1.5.3電子束可二維掃描調(diào)節(jié)，最大掃描正負(fù)15mm（X，Y），備有遙控盒, 可手持遙控操作掃描； 1.5.4水冷式坩堝：四穴坩堝，每個容量不小于10ML，手動切換；單穴尺寸不小于Φ30mm ×Φ22mm ×22mm（圓臺型）； 1.5.5可控制坩堝位置變化； 1.5.6由氣動驅(qū)動坩堝擋板； 1.5.7、具有高壓滅弧自動復(fù)位功能； 1.6石英晶體振蕩膜厚監(jiān)控儀 1.6.1監(jiān)測膜厚顯示范圍：0~99μ9999？； 1.6.2厚度分辨率：1？； 1.6.3控制精度：1 ？； 1.6.4監(jiān)測時間顯示范圍：1分~99小時； 1.6.5、與分子束束流探頭共用顯示器。 1.7 工作氣路 1.7.1 50SCCM質(zhì)量流量控制器、充氣閥CF16； 1.7.2、充氣閥D6用于解除真空； 1.8抽氣機組及閥門、管道、真空測量，1套 1.8.1復(fù)合分子泵及變頻控制電源：抽速不小于1200升/秒； 1.8.2直聯(lián)機械泵：抽速不小于8升/秒； 1.8.3電磁壓差閥：KF40； 1.8.4分子泵與機械泵軟聯(lián)接金屬軟管：1套 ； 1.8.5機械泵與真空室之間的旁抽管路：采用KF40電磁閥及CF35角閥； 1.8.6手動閘板閥：CF200； 1.8.7高真空金屬真空計：優(yōu)于10－5Pa 1.9窗口及法蘭接口部件，1套 1.9.1磁力旋轉(zhuǎn)觀察窗擋板：RF100； 1.9.2陶瓷封接兩芯引線法蘭：CF16，不少于2個； 1.9.3單芯陶瓷封接引線法蘭：CF16； 1.10磁力傳遞部件 ，1套 采用手動磁力傳遞機構(gòu)把樣品可以送到MBE真空室內(nèi),或從MBE真空室把樣品取出。 2、分子束蒸發(fā)沉積室 該室主要采用分子束外延沉積： 極限真空度：優(yōu)于710-8Pa； 真空室檢漏漏率：優(yōu)于510-10 Pa.L/S； 2.1沉積室腔體組件 腔體尺寸不小于Φ650×600mm，雙層水冷，上開蓋，下底為封頭結(jié)構(gòu)。選用優(yōu)質(zhì)不銹鋼材料制造，氬弧焊接，內(nèi)外表面采用特殊工藝拋光處理，外形美觀。 2.2樣品沉積轉(zhuǎn)臺組件，1套 2.2.1、樣品尺寸：不小于6英寸 2.2.2、樣品采用石墨加熱，最高加熱溫度不低于800℃。 2.2.3、轉(zhuǎn)速連續(xù)可調(diào)。 2.2.4、樣品承托架可手動上、下升降。 2.3 分子束源爐，5套 最高加熱溫度：不小于1300℃ 控溫精度±1℃。 2.4 觀察窗組件，2~3套 通光尺寸：不小于100mm。 2.5具有觀察窗擋板 2.6石英晶體振蕩膜厚監(jiān)控儀，1套 2.6.1監(jiān)測膜厚顯示范圍：0~99μ9999？； 2.6.2厚度分辨率：1？； 2.6.3控制精度：1 ？； 2.6.4監(jiān)測時間顯示范圍：1分~99小時； 2.6.5與電子束束流探頭共用顯示器。 2.7真空系統(tǒng)及真空測量，1套 2.7.1高真空金屬真空計：優(yōu)于10-8Pa 2.7.2手動超高真空閘板閥：CF100 2.7.3金屬軟管接頭 2.7.4鈦升華泵 2.7.5濺射離子泵：抽速不小于400L/S 2.7.6手動超高真空閘板閥： CF150和CF200。 2.8 差分式高能電子衍射儀（RHEED） 2.8.1高能電源：最高能量25KV，最大束流100μA 2.8.2三極濺射離子泵：抽速不小于25升/秒。 3、必要的備件 3.1密封用膠圈及無氧銅墊圈：1套 3.2石英晶振片：10個 3.3 直徑100mm鉛玻璃：1塊 3.4樣品加熱絲：2套；電子槍燈絲：10個 3.5電子槍用石墨坩鍋：4個 3.6無氧銅坩鍋：2個 3.7 熱蒸發(fā)鉬舟：5個 質(zhì)保期：1年 供貨時間：6個月 3.投標(biāo)人資格要求 3.1投標(biāo)人需具備中華人民共和國境內(nèi)的獨立法人資格，本次招標(biāo)不接受聯(lián)合體投標(biāo)，不允許將項目分包或轉(zhuǎn)包。 3.2投標(biāo)人需具備《中華人民共和國政府采購法》第二十二條的條件，并未被列入政府采購黑名單。 4．資格審查方式 本項目采用資格后審方式,主要資格審查標(biāo)準(zhǔn)、內(nèi)容等詳見招標(biāo)文件。 5.投標(biāo)報名 凡有意參加投標(biāo)者，請于2015年7月28日至2015年8月3日(法定公休日、法定節(jié)假日除外)，每日上午8時30分至11時30分，下午13時30分至16時30分(北京時間)，將報名材料(本公告附件1、附件2)送達或郵寄（以簽收郵件時間為準(zhǔn)）至哈爾濱市南崗區(qū)西大直街92號哈爾濱工業(yè)大學(xué)行政辦公樓110房間。 6.招標(biāo)文件的獲取 如果報名符合開標(biāo)條件，招標(biāo)文件將以電子郵件的形式發(fā)送到您報名表中所留的郵箱，敬請自行查閱，哈工大招標(biāo)與采購管理中心不再另行通知，請按招標(biāo)文件要求交納投標(biāo)保證金等相關(guān)費用，以獲取投標(biāo)資格。 7.投標(biāo)文件的遞交 7.1投標(biāo)文件遞交截止時間及地點詳見招標(biāo)文件。 7.2逾期送達的或者未送達指定地點的投標(biāo)文件，招標(biāo)人不予受理。 8.發(fā)布公告的媒介 本次招標(biāo)公告同時在以下媒介上發(fā)布： 中國政府采購網(wǎng)（http://www.ccgp.gov.cn/） 中國招標(biāo)投標(biāo)網(wǎng)（http://www.cec.gov.cn/） 哈爾濱工業(yè)大學(xué)（http://www.hit.edu.cn/） 哈爾濱工業(yè)大學(xué)國資處(http://gzc.hit.edu.cn) 9.本項目招投標(biāo)過程中如出現(xiàn)有弄虛作假、惡意投訴和無理纏訴行為的投標(biāo)企業(yè)，將嚴(yán)格按相關(guān)法律和規(guī)定處理。 10.聯(lián)系方式 招標(biāo)機構(gòu)：哈爾濱工業(yè)大學(xué)招標(biāo)與采購管理中心 地址：哈爾濱市南崗區(qū)西大直街92號哈爾濱工業(yè)大學(xué)行政辦公樓110房間 郵編：150001 招標(biāo)聯(lián)系人：李占奎 李桂霞 電話： 0451-86417955 郵箱:zhankui@126.com 技術(shù)聯(lián)系人：代兵 電話： 0451-86402954 哈爾濱工業(yè)大學(xué)招標(biāo)與采購管理中心 2015年7月27日 哈爾濱工業(yè)大學(xué) 招標(biāo)采購項目投標(biāo)報名登記表 項 目 編 號 　 項 目 名 稱 　 投標(biāo)單位（人）名稱 　 企 業(yè) 性 質(zhì) 　 項目聯(lián)系人 及身份證號碼 　 聯(lián)系電話/手機 　 E-mail 　 聯(lián) 系 地 址 　 標(biāo) 段 　招標(biāo)項目不分標(biāo)段時，此欄不用填寫。 所投貨物品牌、型號 　 報名方式 □郵寄 □ 送達 郵送地址：哈爾濱市南崗區(qū)西大直街92號 哈爾濱工業(yè)大學(xué)招標(biāo)與采購管理中心（行政樓110室） 收件人： 李占奎 郵編：150001 序 號 報 名 資 料 頁數(shù) 備注 1 投標(biāo)人授權(quán)委托書 1 原 件 2 投標(biāo)代理人身份證 1 彩色打印件 3 營業(yè)執(zhí)照（副本） 1 彩色打印件 4 稅務(wù)登記（副本） 1 彩色打印件 5 開戶行許可證 1 彩色打印件 6 基本賬戶銀行資信證明　 1 彩色打印件 7 投標(biāo)人誠信承諾書 1 原 件 8 上一年度經(jīng)會計師事務(wù)所審計的審計報告 1 彩色打印件 以上項報名材料齊全且均需加蓋投標(biāo)人公章，同時需裝訂到投標(biāo)文件中。 投標(biāo)人代理人簽字并蓋公章: 年 月 日 注：此表需要打印版 投標(biāo)人誠信承諾書 致：哈爾濱工業(yè)大學(xué) 我單位在參加你單位組織的項目編號及名稱為 的招投標(biāo)活動中，鄭重承諾如下： 一、遵循公開、公平、公正和誠實信用的原則參加該項目投標(biāo)； 二、所提供的一切材料都是真實、有效、合法的； 三、不與其他投標(biāo)人相互串通投標(biāo)報價，不排擠其他投標(biāo)人的公平競爭； 四、不與相關(guān)部門串通投標(biāo)； 五、不向評標(biāo)委員會成員行賄以牟取中標(biāo)； 六、不以他人名義投標(biāo)或者以其他方式弄虛作假； 七、不惡意壓低或抬高投標(biāo)報價； 八、不在開標(biāo)后進行虛假惡意投訴。 我單位若有違反本承諾內(nèi)容的行為，愿意承擔(dān)法律責(zé)任，愿意接受哈工 大依據(jù)國家法律、學(xué)校相關(guān)規(guī)定和招標(biāo)文件做出的處罰。 投標(biāo)人代理人簽字： 法定代表人簽字： （公章） 年 月 日